特許
J-GLOBAL ID：200903081730633500
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-060389
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：
【要約】【課題】 種結晶となる炭化珪素単結晶層に発生する割れや反りを防止しつつ、高品質なバルグ状の炭化珪素単結晶が得られるようにする。【解決手段】 珪素単結晶基板3に交叉する複数の溝4を形成して、珪素単結晶基板3の表面を複数の領域に分割し、この珪素単結晶基板3の表面上に炭化珪素単結晶層5を成長させて、さらにこの炭化珪素単結晶層5に炭化珪素単結晶7を成長させる。このとき、溝4の幅を珪素単結晶基板5の表面に対して平行方向へ炭化珪素単結晶層5が成長する成長距離の2倍以下の大きさにすれば、炭化珪素単結晶層5が成長したときに溝4により分割された炭化珪素単結晶層5が接合して、連続的につながった大口径の層になる。このため、このような大口径の炭化珪素単結晶層5の上に炭化珪素単結晶7を形成すれば、バルク状の炭化珪素単結晶7を成長させることができる。
請求項（抜粋）：
珪素単結晶基板(3)を用意し、この珪素単結晶基板(3)に交叉する複数の溝(4)を形成して前記珪素単結晶基板(3)の表面を複数の領域に分割する第1工程と、前記珪素単結晶基板(3)の表面上に炭化珪素単結晶層(5)を結晶成長させる第2工程と、前記炭化珪素単結晶層(5)を種結晶として、この炭化珪素単結晶層(5)上にバルク状の炭化珪素単結晶(7)を成長させる第3工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/18
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C30B 25/18
, H01L 21/205
