特許
J-GLOBAL ID：200903081734261470
低速陽電子発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148395
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 高速の陽電子を低速の陽電子とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った状態の低速陽電子を発生することを可能とする。【構成】 放射性同位元素22Naとモデレータ13との間に金属薄膜12を設けたため、放射性同位元素22Naから発散される高速陽電子e+ が金属薄膜12を通過するときに散乱して減速し、エネルギー分布のピーク値が低エネルギー側にシフトし、モデレータ13への打ち込み深さが浅くなり、モデレータ13から出射する低速の陽電子e+ の量が増加するので、高速の陽電子e+ を低速の陽電子e+ とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った状態の低速陽電子e+ を発生することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
放射性同位元素から発散する高速の陽電子を、モデレータで低速の陽電子とする低速陽電子発生装置において、前記放射性同位元素と前記モデレータとの間に、発生頻度の高い前記高速の陽電子の速度を減速させる金属薄膜を設けたことを特徴とする低速陽電子発生装置。
IPC (4件)：
G21K 1/00
, G21G 4/04
, G21K 5/04
, H01J 37/06
