特許

J-GLOBAL ID：200903081734822839

光半導体装置

発明者： 吉沢 昭彦
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089629
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297480
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】構造体の内部に容量素子の存在しない光半導体装置を提供する。【構成】n型半導体基板12は平坦部18と斜面部14と16を有し、上面には絶縁層20が形成されている。斜面部14には、光検出器を構成するためのp型領域26が形成されており、p型領域26の一部には高濃度のp+ 領域27が形成されている。p+ 領域27に直接接している電極28が設けられている。n型半導体基板12とp型領域26とp+ 領域27と電極28は相俟って光検出器を構成している。平坦部18の絶縁層20の上には、素子搭載用の電極30を介して、斜面部14に向けて光を射出する半導体レーザー素子32が取り付けられている。斜面部14の絶縁層20の上には、光を部分的に反射する金属膜22が設けられている。金属膜22は、n型半導体基板12の平坦部18の一部に形成された高濃度のn+ 領域24にコンタクトホール25を介して直接接している。

請求項（抜粋）：

平坦部とその面に対して傾いた面を持つ斜面部とを有する半導体基板と、斜面部に形成された光検出器と、光検出器を覆う絶縁層と、平坦部の上に配置された、斜面部に向けて光を射出する発光素子と、光検出器を覆う絶縁層の上に形成され、オーミック接触を介して半導体基板に電気的に接続された、発光素子の射出する光を反射する金属膜とを備えている光半導体装置。