特許

J-GLOBAL ID：200903081735179344

半導体素子およびその製造方法

発明者： 白鳥 哲也 ,  黒川 英雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307018
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 Si基板にAlGaInP系半導体レーザーチップなどの発熱素子を実装が可能な、放熱性の良い半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 Si基板2のレーザーチップ1の実装部の略裏面側に穴a3を形成し、この穴a3の少なくとも底面4とヒートシンクであるコム12との間に、Si基板2より熱伝導率の高い材料からなる熱伝導体5-2を介装する。このように、基板2とコム12間に熱伝導体5-2を介装することにより、熱抵抗が軽減され放熱特性が向上し、レーザーチップ1の熱はヒートシンクであるコム12に効率よく伝達される。その結果、AlGaInP系半導体レーザーチップのような発熱が多い素子でも実装することが可能となる。

請求項（抜粋）：

発熱を伴う発熱素子が実装される基板を備えた半導体素子であって、前記基板の少なくとも前記発熱素子が実装される領域の略裏面に穴を形成し、この穴の少なくとも底面とヒートシンクとの間に、前記基板より熱伝導率の高い材料からなる熱伝導体を介装したことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 D