特許

J-GLOBAL ID：200903081735316295

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012263
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206466
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、コンタクト開孔プロセスを簡易にする。【構成】 本発明の薄膜トランジスタによれば、ドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した半導体薄膜に対して、ゲート電極が陽極酸化により所定量だけオフセットされるので、オフ電流の低減が可能になる。そして、例えば酸化シリコンからなる第3の絶縁膜をゲート電極上に設けたので、これがコンタクト開孔プロセスにおいてゲート絶縁膜と同時にエッチングスされ、従来のコンタクト開孔プロセスを使用することが可能になる。

請求項（抜粋）：

ソース、ドレインおよびチャネル領域を形成すべき半導体薄膜と、この半導体薄膜上に設けられたゲート絶縁膜となるべき第1の絶縁膜と、前記チャネル領域の前記半導体薄膜上に前記第1の絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、このゲート電極の側面を覆うように設けられた第2の絶縁膜と、前記ゲート電極および前記第2の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜と同一の材料で設けられた第3の絶縁膜と、前記第1、第2および第3の絶縁膜上に設けられた第4の絶縁膜とを備え、前記半導体薄膜のドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した領域と前記ゲート電極が前記第2の絶縁膜の厚さより小さい距離だけ隔てて構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-183853
  
• 特開平3-064971
  
• 特開平2-090568
  
• 特開昭58-182272