特許

J-GLOBAL ID：200903081735429073

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田中 伸史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043369
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242461
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 ホウ素のシリコン基板への侵入を抑制し、デバイス特性劣化を抑制しながらも、さらに窒素のシリコン基板への侵入も低減し、それによるデバイス特性劣化も抑制できるシリコン酸化膜を有する半導体装置の提供。【解決手段】 図2(a)に示すように、シリコン単結晶基板101を、酸素または水蒸気を含むガス中にて熱処理し、第一のシリコン酸化膜102を形成する。次に、図2(b)に示すように、第一のシリコン酸化膜102上にシリコン膜103を形成する。続いて、図2(c)に示すように、NH3 ガス雰囲気で急速熱処理にてシリコン膜103を窒化する。さらに、図2(d)に示すように、酸素または水蒸気を含むガス中にて熱処理し、シリコン膜103を酸化し、第二のシリコン酸化膜104とする。この結果、第一のシリコン酸化膜102と第二のシリコン酸化膜104が積層され、ゲート酸化膜105とみなされる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜であって、シリコン基板表面を酸化して形成した第一のシリコン酸化膜と、前記第一のシリコン酸化膜上にシリコン膜を形成し、該シリコン膜を酸化することによって形成した第二のシリコン酸化膜とが合わされて構成されている、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/316 M