特許
J-GLOBAL ID：200903081736666842
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041533
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板1中には、第1フォトトランジスタ27と第2フォトトランジスタ29とが間を隔てて形成されている。第1フォトトランジスタ27と第2フォトトランジスタ29との間には、フォトダイオード31が形成されている。第1フォトダイオード31のP+ 拡散領域9とA+ 拡散領域13a、第2フォトダイオード32のP+ 拡散領域9とN+ 拡散領域13bはそれぞれ配線膜23によってショートされている。【効果】 第1とトランジスタ27に光が入射し第1フォトトランジスタ27の受光面拡散部下で発生したキャリア、第2フォトトランジスタ29に流れ込む前に、P+ 拡散領域9でトラップされフォトダイオード31で消費される。したがって第2フォトトランジスタ29の誤動作を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板中に形成されて第1および第2フォトトランジスタを備えた半導体装置であって、前記第1フォトトランジスタと前記第2フォトトランジスタとの間の前記半導体基板中に形成された第1導電型領域と、前記第1導電型領域と接合して前記半導体基板中に形成された第2導電型領域と、前記第1導電型領域と第2導電型領域とを電気的に接続する配線部材と、を有するフォトダイオードを備えた半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
