特許

J-GLOBAL ID：200903081737933267

ゲートドライブ回路

発明者： 薮内 正隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-059195
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 IGBT16のゲート17,エミッタ19間の静電容量20に充電された充電電圧をゲート電圧としてIGBT16を駆動するゲートドライブ回路において、電圧源26の単一化および消費電力の低減化を図る。【解決手段】 電圧源26により充電されるコンデンサ25、静電容量20およびスイッチとなるMOSFET27を直列に接続して成る充電回路により静電容量20を順方向に充電し、静電容量20、第1のダイオード22およびスイッチとなるMOSFET24を直列に接続して成る放電回路により静電容量20の充電電圧を放電し、該放電回路に存在するインダクタンス成分により静電容量20に逆方向に充電し、その後、この逆方向の充電電圧を再度、コンデンサ25の充電電圧と共に、静電容量20を順方向に充電するのに用いる。

請求項（抜粋）：

MOSゲートトランジスタの制御端子間の静電容量に充電される充電電圧をゲート電圧として、該MOSゲートトランジスタをON/OFFスイッチング制御するゲートドライブ回路において、上記静電容量と第1のダイオードと第1のスイッチとを直列に接続して成り該第1のスイッチを操作することにより開閉する第1の回路と、電圧源により充電されるコンデンサと上記静電容量と第2のスイッチとを直列に接続して成り該第2のスイッチを操作することにより開閉する第2の回路とを備え、該第1および第2の回路を交互に閉じることにより、該第2の回路の閉時に上記静電容量に順方向に充電された充電電圧を、該第1の回路の閉時に上記第1のダイオードを介して放電し、その後該第1の回路に存在するインダクタンス成分により上記静電容量を逆方向に充電して保持し、この保持された逆方向電圧を該第2の回路の閉時に、上記コンデンサの充電電圧と共に再び上記静電容量を順方向に充電するのに用いることを特徴とするゲートドライブ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/56 ,  H02M 1/08 351

FI (2件)：

H03K 17/56 Z ,  H02M 1/08 351 Z

Fターム (26件)：

5H740BA11 ,  5H740BB06 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH07 ,  5H740JA01 ,  5H740JB02 ,  5H740JB04 ,  5J055AX12 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX00 ,  5J055DX09 ,  5J055DX22 ,  5J055DX55 ,  5J055EX04 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY05 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ50 ,  5J055EZ51 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04