特許

J-GLOBAL ID：200903081738362360

青色発光光源

発明者： 三田 陽 ,  塩谷 繁雄
出願人/特許権者： 三田 陽 ,  塩谷 繁雄
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323402
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 波長0.92〜1.00μmの半導体レーザを励起源として波長上方変換(周波数上昇変換ともいう)により変換効率の高い青色発光光源を提供する。【構成】 Yb3+とTm3+を適当な濃度でドープしたビトロセラミックスやふっ化物単結晶などの波長上方変換材料16を可視光から2.0μmの赤外光にいたる波長範囲で高い反射率で内面を形成した金属容器14内に支持する。励起源の半導体レーザ11から出た光12は集光用セルフォックレンズ13で集束されて励起光の波長帯だけ透過させる二色性フィルタ15からなる小孔を透過し波長上方変換材料16に入射する。励起光は基底準位のYb3+を励起し、Yb3+とTm3+との相互作用の結果、入射光よりも短波長の青色光が発生する。この青色光の波長帯だけ透過する二色性フィルタ17の小窓を透過して青色出射光18が得られる。金属容器14で変換に関与する光を閉じ込めて変換効率を高めた。

請求項（抜粋）：

発振波長を0. 92〜1. 00μm の波長域に有する半導体レーザを励起源とし、Tm3+およびYb3+イオンを含有する固体を波長上方変換材料とする青色発光光源であって、前記波長上方変換材料が、可視光と2. 0μm にいたる赤外光とに対して高い反射率を有する反射材料に覆われている青色発光光源。