特許

J-GLOBAL ID：200903081740866368

シリコン・オン・インシュレータ・デバイスのオン・チップ・デカップリング・トレンチ・キャパシタおよびその形成方法

発明者： アンドレ・アイ・ナズール
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101088
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311997
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】使用されるシリコン領域を減少させると共に、低ノイズで良好な回路設計を行うためにSOI上にデキャップ・トレンチ・キャパシタ(DTC)を組み込む。【解決手段】SOIのためのDTCデバイスは、シリコン基板21上に埋め込み酸化物層22を備え、埋め込み酸化物層22の上を覆ってシリコン層23を備える。STIは、シリコン層23において埋め込み酸化物層22まで延びる。第1のトレンチはSTIに形成され、埋め込み酸化物層22を突き抜けてシリコン基板21の中へ延びる。第1のトレンチは、その壁に酸化物絶縁層が形成され、次に、ポリシリコンで充填され、DTCを形成する。第2のトレンチは、第1のトレンチに隣接するシリコン層23に形成され、埋め込み酸化物層22を突き抜けてシリコン基板21の中へ延びる。第2のトレンチは、ポリシリコンで充填され、DTCのための基板コンタクトを形成する。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

シリコン・オン・インシュレータ・デバイスのオン・チップ・デカップリング・トレンチ・キャパシタであって、 シリコン基板上に埋め込み酸化物層を備え、 前記埋め込み酸化物層を覆うシリコン層を備え、前記シリコン層は、その中に前記埋め込み酸化物層まで延びるシャロー・トレンチ・インシュレーションを有し、 前記シャロー・トレンチ・インシュレーション内に形成され、前記埋め込み酸化物層を突き抜けて前記シリコン基板の中へ延びる第1のトレンチを備え、前記第1のトレンチは、その壁に酸化物絶縁層が形成され、次にポリシリコンで充填されたデカップリング・キャパシタを有し、 前記第1のトレンチに隣接する前記シリコン層に形成され、前記埋め込み酸化物層を突き抜けて前記シリコン層の中へ延びる第2のトレンチを備え、前記第2のトレンチは、ポリシリコンで充填され、前記デカップリング・キャパシタのための基板コンタクトを形成する、 シリコン・オン・インシュレータ・デバイスのオン・チップ・デカップリング・トレンチ・キャパシタ。

IPC (10件)：

H01L21/822 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

FI (8件)：

H01L27/04 C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 Z ,  H01L21/76 L ,  H01L21/76 D ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/04 H

Fターム (37件)：

5F032AA03 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA77 ,  5F032AA84 ,  5F032BB04 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F038AC03 ,  5F038AC10 ,  5F038AV06 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB16 ,  5F048BE03 ,  5F048BF03 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048CC05