特許

J-GLOBAL ID：200903081740868131

化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子

発明者： 山田 永 ,  福原 昇 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118443
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318185
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 電流増幅率特性の改善されたInGaP系HBTを製造するための化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子を提供すること。【解決手段】 MOCVD法によりエミッタ層44を形成後にサブエミッタ層45を形成してInGaP系HBT製造用の半導体ウェーハ1を製造する場合、サブエミッタ層45を成長温度600°C以下及び又はV/III比20以下の条件で成長させる。これによりサブエミッタ層45におけるGa欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ1を製造することができる。また、サブエミッタ層45の形成前にベース層43の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にコレクタ層、ベース層、エミッタ層及びサブエミッタ層をこの順序でMOCVD法を用いて気相成長させてInGaP系HBT製造用の化合物半導体ウェーハを製造するための方法であって、前記サブエミッタ層としてn型GaAs層をV/III比が20〜1.0の範囲となる成長条件で成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/737

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 H

Fターム (27件)：

5F003AZ01 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP42 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DP16 ,  5F045DP27 ,  5F045EE12 ,  5F045EK02 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 結晶成長方法および半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-065579   出願人：株式会社アドバンテスト
• 化合物半導体結晶成長方法及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112751   出願人：日立電線株式会社
• 化合物半導体結晶装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104916   出願人：富士通株式会社
• 有機金属気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-292562   出願人：日立電線株式会社
• 半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019392   出願人：シャープ株式会社