特許
J-GLOBAL ID：200903081741939113
不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340344
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 ランダムアクセス速度の大幅な減少や、煩雑な工程の増加なしに、微細化を可能とする。【解決手段】 p型シリコン基板21上には全面にソースとなるn型拡散層22が形成されており、その上層には凸形状で、かつ帯状のp型シリコン層23が形成されている。更にその上層には、ドレインとなる2つの帯状のn型拡散層24,25がp型シリコン層23の帯の長手方向に平行な2つの側面側にそれぞれ寄せられた位置に形成されている。p型シリコン層23の両側面には浮遊ゲート26が酸化膜を介して配置されている。そして、これらの構造の上層には、酸化膜を介して帯状の制御ゲート27がp型シリコン層23の長手方向に直交する方向に配置されている。チャネルはn型拡散層24,25とn型拡散層22の間のp型シリコン層23において、基板21の主平面に対して垂直な方向に形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され,かつ複数個の記憶素子がマトリクス状に配置された不揮発性半導体記憶装置であって、各記憶素子が半導体基板の主平面に対して垂直な方向にチャネルが形成されている構造を有し、かつ記憶素子アレイが形成されている領域全面に、記憶素子のソースとなる共有拡散層が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
