特許

J-GLOBAL ID：200903081742169753

同期型半導体記憶装置

発明者： 津田 信浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-238767
公開番号（公開出願番号）：特開2000-067583
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 外部制御信号による制御により、1つの読み出し信号に対して連続して複数のデータの出力が可能であるとともに、1つの読み出し信号に対して外部アドレスに応じた1つのデータのみの出力も可能な同期型半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 この発明に係る同期型半導体記憶装置は、1つのデータ読み出し信号に対して、複数のアドレスに対応した各データを外部クロック信号に同期してメモリ・セル7から順に読み出す同期型半導体記憶装置であって、外部から入力される制御信号に基づいて、1つのデータ読み出し信号に対して、1つのアドレスに対応したデータのみを前記メモリ・セル7から出力するように制御する制御回路16、17、18を備えている。

請求項（抜粋）：

1つのデータ読み出し信号、または1つのデータ書き込み信号に対して、複数のアドレスに対応した各データをクロック信号に同期してメモリ・セルから順に読み出す、または順に書き込む同期型半導体記憶装置であって、外部から入力される制御信号に基づいて、前記1つのデータ読み出し信号、または前記1つのデータ書き込み信号に対して、1つのアドレスに対応したデータのみを前記メモリ・セルから出力、または前記メモリ・セルへ入力するように制御しうる制御回路を備えたことを特徴とする同期型半導体記憶装置。

Fターム (7件)：

5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015KB49 ,  5B015KB50 ,  5B015KB82 ,  5B015KB89 ,  5B015NN03