特許
J-GLOBAL ID：200903081747756100
半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001124
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243515
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】DRAMにおけるスタック型メモリセルキャパシタの特性を向上させる。【構成】下層電極となるスタックポリシリコン6に溝を形成したのち、容量絶縁膜7を形成する。その上に上層電極となる容量対極ポリシリコン8を形成する。【効果】スタックポリシリコンの表面積を拡げて、メモリセルの電荷蓄積用量を増加させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された絶縁膜の上に下層電極となる第1のポリシリコン、容量絶縁膜、上層電極となる第2のポリシリコンが順次積層され、前記第1のポリシリコンに溝が形成されている半導体メモリ。
IPC (2件)：
引用特許：
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