特許

J-GLOBAL ID：200903081749415440

半導体保持装置及びダイシング方法

発明者： 山田 豊 ,  飯島 宣夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144939
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体保持装置及びダイシング方法に関し、真空導入板部材の溝構造を改善することにより、また真空ポンプの適切な使用により、半導体ウエハを確実に固定的に保持することのできることを目的とする。【構成】 半導体ウエハ10を真空により保持する半導体保持装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性板部材16と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対側に配置され、中央部に位置する中央溝20と、該中央溝の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝22とを有する真空導入板部材18とを備え、該真空導入板部材の該環状溝のうちの少なくとも一つの環状溝22の幅が該中央溝20の直径と等しいか又は該中央溝の直径よりも大きい構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ(10)を真空により保持する半導体保持装置であって、半導体ウエハを載置させる多孔性板部材(16)と、該多孔性板部材の半導体ウエハとは反対側に配置され、中央部に位置する中央溝(20)と、該中央溝の回りに同心円状に設けられた複数の環状溝(22)とを有する真空導入板部材(18)とを備え、該真空導入板部材の該環状溝のうちの少なくとも一つの環状溝(22)の幅が該中央溝(20)の直径と等しいか又は該中央溝の直径よりも大きいことを特徴とする半導体保持装置。

IPC (2件)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/68