特許

J-GLOBAL ID：200903081758347244

高電子移動度トランジスタ

発明者： 橋本 勝文
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030553
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234356
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 高い2次元電子ガス濃度および高い電子移動度を得る。【解決手段】 Ga原子で終端したGaN層2上にこれと同程度の面内格子定数をもつ歪んだAlxGa1-xN層5を形成し、このAlxGa1-xN層5上にゲートメタル6を設けた高電子移動度トランジスタにおいて、AlxGa1-xN層5のAl組成比xが、GaN層2との界面においてxI、上記ゲートメタルとの界面においてxF(>xI)であり、これらの界面の間ではxIからxFまで徐々に大きくなる。例えば、xI=0.1,xF=0.4である。

請求項（抜粋）：

Ga原子で終端したGaN層上にこれと同程度の面内格子定数をもつ歪んだAlxGa1-xN層を形成し、このAlxGa1-xN層上にゲートメタルを設けた高電子移動度トランジスタにおいて、上記AlxGa1-xN層のAl組成比xが、上記GaN層との界面においてxI、上記ゲートメタルとの界面においてxF(>xI)であり、これらの界面の間ではxIからxFまで徐々に大きくなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (9件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01