高移動度薄膜トランジスタ(TFT)の構造及び製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069504
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタ(TFT)の構造及び製造方法に関して,ソースとドレイン間の抵抗成分を低減するTFTの構造及び,半導体と絶縁膜の間の界面をダメージや汚染を低減すること,以上2点により高移動度のTFTの実現を可能とする.【構成】ゲート電極表面に絶縁膜層を形成し,この上よりソース及びドレイン領域を形成することにより,チャネルとソース及びドレイン領域の間の段切れを無くすこと及び,低抵抗半導体層を設けることによりソース及びドレイン電極のコンタクト抵抗を下げ,ソース及びドレイン間のシリーズ抵抗を低減すること.アンモニアプラズマにより半導体表面を窒化し,絶縁膜を下地にダメージが入らないようにプラズマと光のエネルギーにより堆積し,良好な半導体と絶縁膜の界面を形成すること.以上二点により高電解効果移動度TFTを実現することができた.

請求項（抜粋）：

主体半導体上に金属または半導体から成るゲート電極部を持つ電界効果トランジスタにおいて,ゲート電極表面の少なくとも一部に絶縁膜を形成して,ゲート電極の必要とする絶縁を行いつつ,その膜上の一部または側面に低比抵抗の導体層または半導体層を形成して,ソース及びドレイン領域の一部とした薄膜トランジスタ(以下TFTと記す)の構造.

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