配線の製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159557
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008249
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路の電極メタルが薄くなったりクラックを起こしたり、エラーやショートを引き起こさない配線の製法を提供することを目的とする。【解決手段】基板1上に絶縁膜2を形成する工程と、絶縁膜2上にフォトレジスト膜5を形成する工程と、複数回露光、現像を行うことによりフォトレジスト膜5が除去された部分の断面形状が表面に向かってテーパー状になるようにフォトレジスト膜5を加工する工程と、フォトレジスト膜5をマスクとして、RIEにより絶縁膜2を基板1が露出するまでエッチングするこにより絶縁膜2がエッチングされた部分における絶縁膜2の断面形状が表面に向かって広がるようなテーパー状になるように開口部を形成する工程と、フォトレジスト膜5を除去する工程と、前記開口部を覆い、かつ基板1に接するようにパタン加工されたバンプ用導電膜7を形成する工程とを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の配線の製法において、下層配線が形成された基板上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、異なる焦点深度及び露光量の組み合わせを用い複数回露光を行い現像することにより前記フォトレジスト膜が除去された部分の断面形状が表面に向かって拡がるようなテーパー状になるように前記フォトレジスト膜を加工する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして、RIEにより前記絶縁膜を前記下層配線が露出するまでエッチングするこにより前記絶縁膜がエッチングされた部分における前記絶縁膜の断面形状が表面に向かって広がるようなテーパー状になるように開口部を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記開口部を覆い、かつ前記基板に接するようにパタン加工された導電膜を形成する工程とを有すること特徴とする配線の製法。

FI (3件)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 602 H , H01L 21/92 604 S

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭60-136338
接続孔の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130876 出願人：日本電信電話株式会社
特開平3-139841

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