特許

J-GLOBAL ID：200903081765187538

半導体加速度センサ

発明者： 森 恵一
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192620
公開番号（公開出願番号）：特開2000-028633
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 温度変動による熱膨張収縮をダイアフラム部にしわ寄せさせなくして温度特性の良好な半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 ダイアフラム部21とウェハ外周枠部23が形成されたシリコンウェハ2を具備し、ダイアフラム部21には質量部24が固着されており、台座外周枠部12が形成されたシリコンとは異なる材料より成る台座1を具備し、シリコンウェハ2と台座1との間の接合部3はウェハ外周枠部23と台座外周枠部12全体の一部に形成した半導体加速度センサ。

請求項（抜粋）：

ダイアフラム部およびウェハ外周枠部が形成されたシリコンウェハを具備し、このダイアフラム部には質量部が固着されており、台座外周枠部が形成されたシリコンとは異なる材料より成る台座を具備し、シリコンウェハと台座との間の接合部はウェハ外周枠部と台座外周枠部全体の一部に形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/08 Z ,  H01L 29/84 Z

Fターム (9件)：

4M112AA02 ,  4M112BA00 ,  4M112CA02 ,  4M112CA15 ,  4M112CA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112FA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体加速度センサ、および、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268411   出願人：株式会社ニコン
• 特開平1-301176
  
• 特表平2-502756
  
• 特開平1-301176
  
• 特表平2-502756