特許

J-GLOBAL ID：200903081768550358

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 佐々木 和明 ,  渡辺 昌規 ,  中津 弘志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163988
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 1チップ内に複数の発光領域を形成することができ、遠視野像、近視野像共に広い波長領域の発光を実現できる半導体発光素子を得る。【構成】 半導体基板100上に、発光波長領域が異なる発光領域を有する半導体層11、12が設けられている。上記半導体基板100としてGaAs基板を用い、上記半導体層をAl、Ga、In、ZnおよびCdのうち少なくとも一種と、P、As、SおよびSeのうち少なくとも一種とを用いて形成し、各発光領域の構成元素または組成比を異ならせて形成することにより、赤色、緑色、青色の波長領域において遠視野像および近視野像共に広い波長領域の発光を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、発光領域を有する半導体層が複数積層形成され、または該基板の表面に沿って複数並設され、各発光領域が発光波長領域を異ならせて光を発生する構造とされている半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-038073
  
• 特開昭55-148477
  
• 特開平2-013988
  
• 特開昭59-092523