半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177091
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】プラズマ装置の同一チャンバ内で異なる種類の処理が連続して行われる場合に、前工程で用いた処理ガスの残留分の影響が次工程に及ばないようにする。【構成】前工程を終了した後、処理ガスを一旦排気するか、または不活性ガスと置換する。たとえば、ウェハ4上で3層レジスト・プロセスの下層レジスト層をO2 プラズマを用いてエッチングした後、バイアス印加用のRF電源13をウェハ・ステージ5から切り離し、一旦O2 ガスを排気してからHeガスを導入し、上記ウェハ4を保持していた単極式静電チャック1の残留電荷をHeプラズマを通じて除去する。排気工程を省略すると、残留するO2 ガスから解離生成するO* が無バイアス条件下で優勢となり、異方性形状が劣化してしまう。この他、オーバーエッチング前にジャストエッチング時のガスを排気することも有効。

請求項（抜粋）：

プラズマ装置の処理チャンバ内で処理ガスを放電解離して生成させたプラズマを用い、該処理チャンバ内に保持されたウェハに対して所定のプラズマ処理を行った後、同一処理チャンバ内で放電条件を変化させて次工程処理を行う半導体装置の製造方法において、前記所定のプラズマ処理と前記次工程処理との間に、前記処理ガスを排気する工程を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/68 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-240924
特開昭63-124527
特開平4-009473

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