特許
J-GLOBAL ID：200903081772445798
半導体装置の製造方法及び洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118888
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315331
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装に形成された極細の銅配線の洗浄液中における腐食を抑制する手段を提供することにある。【構成】 銅イオンあるいはBTAを含有させた洗浄液で洗浄することにより達成される。【効果】 純水を用いた洗浄液に比べ、腐食速度が1/10以下に低減できた。
請求項（抜粋）：
基板上に銅配線パターンを形成した後、その銅配線パタ-ンを銅イオンを含有する水溶液により洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/304 341
, H05K 3/26
