光半導体装置、その製造方法、その駆動方法、及びこれを用いた光通信システム及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334553
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163574
出願日： 1996年11月30日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】低しきい値で歩留まりの良い半導体レーザなどの光半導体装置、その製造方法、その駆動方法、それを用いた装置やシステムなどである。【解決手段】CBE法で、エッチングで形成したメサ側面に横方向にヘテロ構造の成長ができ、選択マスク除去後に再成長すれば活性層103のエッチングなしで埋め込みヘテロ型レーザが作製できる。この光半導体装置は、基板101にメサストライプが形成され、少なくともメサストライプ側壁面上に、メサストライプ伸長方向と平行に伸びて、結晶成長により横方向にヘテロ構造の光導波路102、103、104が形成されている。

請求項（抜粋）：

光半導体装置において、半導体基板にメサストライプが形成され、少なくとも該メサストライプ側壁面上に、該メサストライプ伸長方向と平行に伸びて、結晶成長により横方向にヘテロ構造の光導波路が形成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01S 3/096 , H04B 10/28 , H04B 10/02

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01S 3/096 , H04B 9/00 W

前のページに戻る