特許
J-GLOBAL ID:200903081779333391

トランスファモールド型パワーモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-258400
公開番号(公開出願番号):特開2001-085613
出願日: 1999年09月13日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】高機能化、小型化が容易なトランスファモールド型パワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】リードフレーム上にパワー半導体素子を備え樹脂封止されたパワー回路部と、本パワー回路部の上面に配置される制御回路部と、モジュール底部をなす金属ベースと、リードフレームで形製されたパワー回路部及び制御回路部に接続される外部入出力端子(パワー端子、制御端子)とを備え、リードフレームは、絶縁体を介して金属ベース上に接着され、金属ベースを底面として全体が樹脂封止されたパワー半導体モジュールにおいて、パワー端子は、モジュール中で金属ベースから離れるように立ち上げられた後、さらに金属ベースに外略平行に折曲げられ、一方、制御端子は折曲げられること無く、リードフレーム底面から金属ベースに外略平行にモジュール外へ出される。
請求項(抜粋):
リードフレーム上にパワー半導体素子を備えたパワー回路部と、樹脂封止された該パワー回路部の上面に配置され、該パワー回路部を制御する制御回路部と、モジュール底部をなす金属ベースと、前記リードフレームで形製された前記パワー回路部及び制御回路部に接続される外部入出力端子、とを備え、前記リードフレームは、絶縁体を介して前記金属ベース上に近接して配置され、前記金属ベースを底面として全体が樹脂封止されたパワー半導体モジュールにおいて、前記パワー回路に接続される前記入出力端子(パワー端子)は、モジュール中で前記金属ベースから離れるように立ち上げられた後、さらに前記金属ベースに外略平行に折曲げられ、一方、前記制御回路部に接続される前記入出力端子(制御端子)は折曲げられること無く前記リードフレーム底面から前記金属ベースに概略平行にモジュール外へ出されることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (5件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件):
H01L 25/04 C ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/30 B
Fターム (10件):
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061FA02

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