特許
J-GLOBAL ID：200903081780596355
セラミツク体の欠陥検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035031
公開番号（公開出願番号）：特開平5-060715
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 検査人の熟練度などに無関係にセラミック体のきわめて微小な欠陥を簡便に検出できるセラミック体の欠陥検出方法を提供する。【構成】セラミック体に存在する微小空隙よりなる欠陥中に浸透性に優れた導電性液体を浸透せしめるか、または、熱処理あるいは化学処理により導電層を形成することができる浸透性に優れた液体を浸透せしめた後、前記熱処理あるいは化学処理を施すことにより該欠陥中に導電層を形成せしめ、該導電性液体もしくは該導電層により短絡される二点間の電気伝導度を測定することによりセラミック体の欠陥を検出することを特徴とするセラミック体の欠陥検出方法。
請求項（抜粋）：
セラミック体に存在する微小空隙よりなる欠陥中に浸透性に優れた導電性液体を浸透せしめるか、または、熱処理あるいは化学処理により導電層を形成することができる浸透性に優れた液体を浸透せしめた後、前記熱処理あるいは化学処理を施すことにより該欠陥中に導電層を形成せしめ、該導電性液体もしくは該導電層により短絡される二点間の電気伝導度を測定することによりセラミック体の欠陥を検出することを特徴とするセラミック体の欠陥検出方法。
引用特許：
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