特許
J-GLOBAL ID：200903081784339942
半導体素子の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298097
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099309
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の両側に局所浅接合ソースドレイン拡散層を持つ電界効果トランジスタを、通常プロセスに近いプロセスで、工数の増加を抑えて自己整合的に、かつエッチング損傷なく形成する。しかも短チャネル効果を抑制でき、寄生抵抗を低減できる半導体素子の形成方法を提供する。【構成】 Si基板1上のゲート電極3の両側面にサイドウォール絶縁膜4,5を形成する。段差被覆性が良くない堆積法で絶縁膜6を堆積し、絶縁膜6をエッチバックして、サイドウォール絶縁膜5の側面を露出させる。サイドウォール絶縁膜5を除去後、半導体膜7を堆積し、エッチバックして半導体サイドウォール8を形成する。半導体サイドウォール8とその両側の基板表面に不純物をイオン注入する。熱処理を行って、拡散により局所浅接合ソースドレイン拡散層10,10′を形成するとともに、深接合ソースドレイン拡散層11,11′の不純物を活性化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面を区画して活性領域を形成するとともに、上記活性領域の略中央に、ゲート絶縁膜を介して断面略矩形状のゲート電極を形成する工程と、上記ゲート電極の両側面に第1のサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、上記第1のサイドウォール絶縁膜の露出している側面に、上記第1のサイドウォール絶縁膜とはエッチング選択性が異なる材料からなる第2のサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、上記基板上に、第2のサイドウォール絶縁膜とはエッチング選択性が異なる材料からなる保護用絶縁膜を、平坦面を覆う部分の厚さよりも段差を覆う部分の厚さが薄い状態に堆積する工程と、上記保護用絶縁膜に対して等方性エッチングを行って、上記第2のサイドウォール絶縁膜の側面を露出させる一方、上記保護用絶縁膜のうち上記ゲート電極の表面上および上記活性領域の基板表面上に存する部分を若干の厚さで残す工程と、上記第2のサイドウォール絶縁膜を上記第1のサイドウォール絶縁膜および保護用絶縁膜に対して選択的にエッチングして除去して、上記第1のサイドウォール絶縁膜の両側に、上記基板表面を露出させる開口部を形成する工程と、上記基板上に、半導体膜を略均一な厚さで、かつ、上記開口部を埋める状態に堆積する工程と、上記半導体膜に対して異方性エッチングを行って、上記第1のサイドウォール絶縁膜の側面に接し、かつ、上記開口部を覆う半導体サイドウォールを形成する工程と、上記基板に、上記ゲート電極、第1のサイドウォール絶縁膜および半導体サイドウォールをマスクとして、上記基板の導電型とは異なる導電型の不純物を、上記マスクが存する領域ではマスク内に留める一方、上記マスクの両側の活性領域では上記保護用絶縁膜を貫通して基板表面に達する加速エネルギーでイオン注入する工程と、熱処理を行って、上記半導体サイドウォールに注入された不純物を上記開口部を通して基板表面に拡散して、上記ゲート電極の両側に局所浅接合ソースドレイン拡散層を形成するとともに、上記マスクの両側の活性領域で基板表面に注入された不純物を活性化して、上記局所浅接合ソースドレイン拡散層の上記ゲート電極と反対の側に連なり、上記局所浅接合ソースドレイン拡散層の接合深さよりも深い接合深さを持つ深接合ソースドレイン拡散層を形成する工程を有することを特徴とする半導体素子の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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