特許
J-GLOBAL ID:200903081785375489
熱放出形半導体パッケージ及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-017033
公開番号(公開出願番号):特開2005-217405
出願日: 2005年01月25日
公開日(公表日): 2005年08月11日
要約:
【課題】 熱放出が円滑であり、モールディングとき半導体チップに損傷が生じない半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、基板と、基板上に実装され、基板とボンディング手段により電気的に連結される半導体チップと、半導体チップと接合され、熱伝導性物質で形成されたヒートスラグと、半導体パッケージの外部へ一部露出され、ヒートスラグの上部にヒートスラグとバッファ間隔を置いて配置されるヒートスプレッダと、を含む。これにより、迅速な半導体チップの熱放出を円滑に行うことができ、半導体チップを安定的に保護することができ、優秀な性能を長時間維持しうる。【選択図】 図2E
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に実装され、前記基板と電気的に連結される半導体チップと、
前記半導体チップと接合され、熱伝導性物質で形成されたヒートスラグと、
半導体パッケージの外部に一部露出され、前記ヒートスラグの上部に前記ヒートスラグとバッファ間隔を置いて配置されるヒートスプレッダと、
を含むことを特徴とする熱放出形半導体パッケージ。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/34 B
, H01L23/28 F
Fターム (9件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DB02
, 4M109GA05
, 5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BB21
, 5F036BE01
引用特許:
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