特許

J-GLOBAL ID：200903081789259289

半導体製造装置

発明者： 川田 宏幸 ,  山村 俊博 ,  西村 恒幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289187
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板を処理するための反応室の内部の清浄度を向上する半導体製造装置を提供する。【解決手段】 半導体製造装置の反応室1には、洗浄液12を反応室1内へ導入するための洗浄液吹き出し口11と、排出するための洗浄液排出口13とを備える。洗浄液12として、処理される膜質に応じて純水をはじめ揮発性液体、酸性液体のいずれかを用いることにより、反応室内面に付着した異物等が物理的、化学的に効率よく除去され、その結果、半導体装置の歩留りを向上することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を処理するための反応室を備えた半導体製造装置であって、前記反応室へ洗浄液を導入するための洗浄液供給手段と、前記反応室へ供給された前記洗浄液を排出するための洗浄液排出手段と、を備えた、半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/304 341 Z ,  B08B 3/08 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• ガス処理装置及びその洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220680   出願人：東京エレクトロン株式会社, 富士通株式会社
• 特開平3-245883
  
• 特開平4-304623
  
• 特開平2-039530
  
• CVD装置およびCVD膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299889   出願人：三菱電機株式会社