特許

J-GLOBAL ID：200903081792755050

半導体ウエーハの製造方法

発明者： 佐藤 友美 ,  清水 博文 ,  鈴木 範夫 ,  小林 昌史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199423
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051001
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハ裏面に形成した多結晶Si層と、ウエハ内部の酸素析出物により内部の不純物や微小欠陥をウエハ裏面側に集め、表面近傍を無欠陥化し、ゲート耐圧向上や接合リーク低減等デバイス特性を向上させる。【解決手段】ウエハ1を予めN2中1100°Cで2hr高温アニールし、ウエハ表面と裏面近傍の格子間酸素を外方へ拡散させると、表面や裏面近傍は無欠陥層となる。次にPoly-Si4を650°Cで1μm付着させると、その際の熱処置により酸素析出核5が形成され、ウエハ内部では酸素析出が促進される。その後ウエハ表面のみ鏡面研磨し、裏面にはポリSi層4を残す。【効果】ウエハ表面近傍は酸素の外方拡散により無欠陥層となり、裏面ポリSiによるEG効果と酸素析出量増加によるIG効果を併有するウエハが得られる。その結果膜質良好なゲート酸化膜が形成でき、デバイス特性が向上する。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハに高温アニール処理を行い、前記シリコンウエーハの第一主面と前記第一主面に対向する第二主面とのそれぞれ近傍に存在する格子間酸素を外方拡散させる工程と、ポリシリコン層またはシリコンナイトライド層を前記シリコンウエーハにデポジションにより形成し、前記シリコンウエーハの第一主面の前記ポリシリコン層またはシリコンナイトライド層を除去し、前記シリコンウエーハの第二主面にのみ前記ポリシリコン層またはシリコンナイトライド層を残すことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/322 N ,  H01L 21/322 P