特許
J-GLOBAL ID：200903081795134951
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143865
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340507
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子を基板より分割する際に発生する欠けをなくすようにする。【解決手段】 表面が(0001)面で正三角形のn型GaN基板3の主面上にn型GaN層4、p型GaN層5および正電極6が順次同一形状で積層された構造であって、その側面は(-1010)面、(01-10)面および(1-100)面である。これにより分割方向を結晶の劈開面に沿う方向にすることができ、分割する際半導体発光素子の欠けをなくすことができる。
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、前記基板の主面上に前記基板の主面と同一形状に積層された複数の半導体層からなる半導体発光部とを有し、前記半導体層の表面が少なくとも2辺の交わる角度が60度または120度である面形状であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
