特許
J-GLOBAL ID：200903081800267051
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151348
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 注入条件の最適化を容易に行なうことができ、電気特性の優れた浅い接合を容易に得ることが可能である。【構成】 基板1中にSi+を注入し、基板1の表面から0.15μm程度の深さまでアモルファス層2を形成する。次いで、不純物としてのB+(ボロン)を注入した後、Si+を注入すると、アモルファス層2は表面から0.3μm程度の深さまで連続して形成される。ここで、熱処理を施すと、アモルファス層2は結晶化され、表面から0.15μm程度の深さまでがp型領域3となる。従って、n型基板1とこのp型領域3とのpn接合の深さは表面から0.15μmとなる。また、アニールにより生じる2次欠陥4は表面から0.3μmの位置となり、2次欠陥4は、接合深さよりも2倍の深さの十分に深い位置にしか現われない。
請求項（抜粋）：
半導体層に不純物イオンを注入して活性化するに際し、不純物イオンの注入後、SiあるいはGeのイオン注入を少なくとも1回行なって、半導体層をアモルファス化し、しかる後に熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 Z
