特許

J-GLOBAL ID：200903081808140360

投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者： 折井 誠司 ,  吽野 靖行 ,  米川 雅見
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334437
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144700
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 露光光の吸収による熱的変化に伴う光学特性の変動を補正し高解像度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面2上のパターンを投影光学系1により第2物体面3上に投影露光する際、該投影光学系中にレンズ面を利用して少なくとも1つのレンズ密閉空間を形成し、該レンズ密閉空間の内気圧が外気圧と略等しくなるように維持しつつ、該レンズ密閉空間内に屈折率の異なる少なくとも2種類の気体を有する混合気体を充填し、該混合気体の混合比を制御することにより該投影光学系の光学特性を制御したこと。

請求項（抜粋）：

第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系中にレンズ面を利用して少なくとも1つのレンズ密閉空間を形成し、該レンズ密閉空間の内気圧が外気圧と略等しくなるように維持しつつ、該レンズ密閉空間内に屈折率の異なる少なくとも2種類の気体を有する混合気体を充填し、該混合気体の混合比を制御することにより該投影光学系の光学特性を制御したことを特徴とする投影露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/207