特許

J-GLOBAL ID：200903081808664696

半導体装置

発明者： 鈴木 正雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109989
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】比較的層抵抗の高い拡散抵抗素子が製造条件の影響で抵抗値の精度が低くなるのを、抵抗素子が作り込まれるN型領域に電位を与えP型で作られた抵抗素子の抵抗値を制御し、抵抗値の精度を向上させる。【構成】抵抗値を制御するため、抵抗で構成された検知回路4と検知回路4の発生する電位を比較する比較回路3と、比較回路3の出力電圧に比例して発振出力を可変する発振回路1と、この出力を整流する整流回路2と、その出力電位を検知回路4の抵抗R1 のN型領域に与える手段とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた基準抵抗からなる検知回路と入力された所定基準電圧とを比較する比較回路と、前記比較回路の出力に従って交流出力電圧が可変される発振回路と、前記発振回路の出力に従って交流出力電圧を整流して直流電位を得る整流回路と、前記整流回路の出力に従って抵抗素子の値を制御する手段とを有することを特徴とする半導体装置。