特許
J-GLOBAL ID：200903081811628161
誘導結合プラズマによるチャンバ内スパッタリングにおいて側壁カバレージを改善する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229057
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 プラズマをチャンバ内部に生成し、側壁及び底部のカバレージを改良する層のスパッタ堆積するための、改善された方法と装置を提供する。【解決手段】 チャンネル、バイアやその他の高アスペクト比の開口の側壁のカバレージや、基板中の側壁を有する構造体の側壁のカバレージを増大させるような方法で、チタン、チタン化合物又はその他の適切な堆積材料の層を、その内部で堆積させるプラズマ生成装置により、本発明の利点が実現される。下層材料による側壁カバレージの増加は、比較的低い圧力の先駆物質又はスパッタリングガスの中で、イオン化プラズマを生成することで実現される。下層の側壁カバレージを増やすことによって、開口へのアルミニウムあるいはその他の上層材料の流れが改良されて、上層のボイド形成を大幅に低減できることが見出された。
請求項（抜粋）：
側壁を有するワークピース構造体へ材料をスパッタ堆積するためのプロセスであって、スパッタリングガスをチャンバ内へ20mTorr以下の圧力で与えるステップと、コイルにRF電力を印加してスパッタリングガスをイオン化し、プラズマを生成するステップと、ターゲットをスパッタリングして、ターゲット材料をワークピースの方へスパッタリングするステップと、前記スパッタされたターゲット材料の一部を、前記ワークピース上に堆積される前に、イオン化するステップとを有するプロセス。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H05H 1/46
H01L 21/285 S
, C23C 14/34 S
, C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
, H05H 1/46 A
