特許

J-GLOBAL ID：200903081813117539

電荷転送素子およびその製造方法

発明者： 代田 竜一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283970
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112231
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 マスクずれによる不良品の発生を抑制し、アルミニウム配線間のショートに起因する歩留りの低下を抑え、かつプラズマダメージあるいは絶縁膜厚の減少によるデバイス特性の悪化を少なくする。【構成】 半導体基板41上に絶縁酸化膜42を形成し、その後、リン含有多結晶シリコン43を基板全面に形成した後、フォトレジスト4をマスクにして反応性イオンエッチングを行い、リン含有多結晶シリコンの断面形状をテーパ状に形成して第1電極45とし、その上に絶縁膜46を介してリン含有多結晶シリコンを第1電極45間に埋め込んで第2電極49となるような構造にする。これにより、2つの電極のオーバーラップする部分で段差をなくし、平坦化した構造にしてポテンシャル障壁を取り除き、電荷を効率良く転送する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されるとともに、その側面にテーパ部が形成された第1転送電極と、前記第1転送電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1転送電極間に形成されるとともに、前記第1転送電極のテーパ部に沿ったテーパ部をその側面に形成した第2転送電極と、前記第2転送電極上に形成された第2の絶縁膜と、を備えたことを特徴とする電荷転送素子。

IPC (2件)：

H01L 21/339 ,  H01L 29/796

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-235273
  
• 特開平1-235273
  
• 特開平2-027741