特許
J-GLOBAL ID：200903081821195220
半導体装置とその製造方法、およびこの半導体装置を用いた液晶表示装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080482
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 不純物注入工程を増やすことなく、かつ、補助容量用の絶縁膜に劣化を引き起こさせない構造を提供することにより、不純物注入工程におけるスループットの低下を防止して、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 透明絶縁性基板、前記基板上に形成されたコンデンサーを構成するための第1の電極、前記第1の電極上に形成されたコンデンサーの容量部となる絶縁膜、前記絶縁膜上に形成されたコンデンサーを構成するための第2の電極、前記コンデンサーの第2の電極に接続されたスイッチング素子、および、前記第1の電極と同一材料で前記基板上に形成され、前記スイッチング素子の高抵抗半導体領域に不純物を導入する際に用いられる合わせマークを具備する半導体装置である。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板、前記基板上に形成されたコンデンサーを構成するための第1の電極、前記第1の電極上に形成されたコンデンサーの容量部となる絶縁膜、前記絶縁膜上に形成されたコンデンサーを構成するための第2の電極、前記コンデンサーの第2の電極に接続されたスイッチング素子、および前記第1の電極と同一材料で前記基板上に形成され、前記スイッチング素子の高抵抗半導体領域に不純物を導入する際に用いられる合わせマークを具備する半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 L
