半導体用接触電極

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277793
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】接触抵抗率が低く、かつ半導体と接触する面の光反射率が高い半導体用接触電極構造を提供し、高速性を阻害することなく、高効率の受光素子を実現する。【解決手段】p型半導体上に形成された白金膜(1)と、この白金膜上に形成された金膜(2)と、この金膜上に形成されたバリア金属膜と、このバリア金属膜上に形成された抵抗の低い金属膜とにより構成される半導体用接触電極であって、白金膜厚が10Åないし80Åの範囲、金膜厚が100Åないし300Åの範囲とする。また、半導体用接触電極として、p型半導体がGaAs、InGaAs、InGaAsPもしくはInPからなり、バリア金属膜は白金膜(3)、抵抗の低い金属膜は金膜(4)とすることが半導体用接触電極のコスト低減および作製工程簡略化の上で好ましい。

請求項（抜粋）：

p型半導体上に形成された白金膜と、該白金膜上に形成された金膜と、該金膜上に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜上に形成された低抵抗金属膜とにより少なくとも構成される半導体用接触電極であって、上記白金膜厚が10Åないし100Åの範囲にあり、かつ上記金膜厚が50Åないし400Åの範囲にあることを特徴とする半導体用接触電極。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 31/10 H , H01L 29/46 H

Fターム (13件)：

4M104AA04 , 4M104BB06 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 4M104FF16 , 4M104GG05 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049PA15 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SE16

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