特許
J-GLOBAL ID:200903081824933087
面発光レーザ、フォトダイオード、それらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-079513
公開番号(公開出願番号):特開2002-368334
出願日: 2002年03月20日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 フリップチップボンディングによる実装を行っても、強固に実装することができるとともに、高速変調を可能とした面発光レーザ及びフォトダイオード及びそれらの製造方法及びそれらを用いた光電気混載回路を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に積層された半導体積層体2に、凹部6を介して発光部2Aと補強部2Bを形成し、当該補強部2Bの上面にp型オーミック電極4及びn型オーミック電極5を形成する。p型オーミック電極4は、凹部6内に埋め込まれ、ポリイミド内に上下方向に形成されたコンタクトホール41aを介して、p型コンタクト層21と導通しており、発光部2Aにその厚さ方向の電流を供給することができる。また、凹部6には、半導体基板1に達する溝部6aが形成され、p型オーミック電極4及びn型オーミック電極5間に生じる寄生容量を抑制している。
請求項(抜粋):
半導体基板と、その上面に積層され、且つ、発光部と補強部とに凹部を介して分割された半導体積層体と、前記凹部に埋め込まれた絶縁性物質と、前記発光部の厚さ方向に電流が流れるように電圧を印加する一対の電極と、を備え、前記一対の電極は、前記補強部の上面に外部との接続部分を有することを特徴とする面発光レーザ。
IPC (4件):
H01S 5/183
, G02B 6/122
, H01L 31/10
, H01S 5/022
FI (5件):
H01S 5/183
, H01S 5/022
, H01L 31/10 A
, H01L 31/10 H
, G02B 6/12 B
Fターム (39件):
2H047KA04
, 2H047KB09
, 2H047LA09
, 2H047MA07
, 2H047QA05
, 5F049MA04
, 5F049NA09
, 5F049NA15
, 5F049NA20
, 5F049NB01
, 5F049PA14
, 5F049QA20
, 5F049RA07
, 5F049RA10
, 5F049SE09
, 5F049SE11
, 5F049SE15
, 5F049SE20
, 5F049SS04
, 5F049SS10
, 5F049TA11
, 5F049UA05
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB15
, 5F073AB17
, 5F073AB25
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CB03
, 5F073CB10
, 5F073DA25
, 5F073DA27
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA14
, 5F073EA29
, 5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
半導体素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-143701
出願人:日本電気株式会社
-
光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-105600
出願人:日本電気株式会社
-
光電気配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-214317
出願人:キヤノン株式会社
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