特許
J-GLOBAL ID:200903081831503985

酸化物超電導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植木 久一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-143361
公開番号(公開出願番号):特開平5-301778
出願日: 1992年05月08日
公開日(公表日): 1993年11月16日
要約:
【要約】【目的】 各熱処理工程を別々にするという煩雑さを軽減しつつ、汚染等の問題を発生させることなく、各熱処理工程を適切に実施することのできる酸化物超電導体の製造方法を提供する。また他の目的として、酸化物超電導体膜の特性の向上を図る方法を提供する。【構成】 酸化物超電導体の製造方法において、仮焼,部分溶融,焼成およびアニールの各熱処理工程を、同一または連続した熱処理炉内でガス雰囲気の調整下連続的に行なう。また部分溶融および焼成の各工程における雰囲気を厳密に制御することによって超電導特性の向上を図る。
請求項(抜粋):
酸化物超電導体の製造方法において、仮焼,部分溶融,焼成およびアニールの各熱処理工程を、同一または連続した熱処理炉内でガス雰囲気の調整下に連続的に行なうことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (8件):
C04B 35/64 ZAA ,  C04B 35/64 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

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