特許

J-GLOBAL ID：200903081831594883

半導体用エッチング液と結晶処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： 奥野 保男 ,  丸山 剛 ,  田村 一志
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  スタンレー電気株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 (外1名) ,  高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087244
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213376
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 発光素子材料として期待されているZnを含むII-VI族化合物半導体およびその混晶の鏡面化エッチングおよび鏡面化エッチングの工程を有する半導体装置の製造方法に関し、Znを含むII-VI族化合物半導体結晶およびその混晶を鏡面化エッチングするためのエッチング液およびエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 Znを含むII-VI族化合物半導体結晶またはその混晶をH2 SO4 水溶液に過マンガン酸カリウム(KMnO4 )を溶解させたエッチング液を使用してエッチングすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

H2 SO4 水溶液に過マンガン酸カリウム(KMnO4 )を溶解させた半導体用エッチング液。

IPC (3件)：

H01L 21/308 ,  C30B 29/48 ,  C30B 33/10