特許

J-GLOBAL ID：200903081831687822

半導体装置

発明者： 亀田 英夫 ,  上田 直人 ,  五井 陽一 ,  谷口 秀樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040754
出願日： 1997年07月17日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 IC集積度向上に伴い半導体装置のパッド間隔が狭小化しワイヤボンディング工程やICの信頼性に影響を与えるという課題があった。【解決手段】 半導体チップの一辺に対して配置された複数バッファからなるバッファ領域と、少なくともバッファ数分のパッドを含みバッファ領域よりもチップの外側に配置されたパッド領域と、パッドとバッファをそれぞれ接続する信号線と、余剰パッドと接続する電源線および接地線とを備え、これらの少なくとも一方は信号線と絶縁層を介して部分的に重なり合うように構成した。

請求項（抜粋）：

半導体チップの一辺に対して配置された複数個のバッファを有するバッファ領域と、少なくともバッファ数分のパッドを有しており、上記バッファ領域よりも上記半導体チップの外側に配置されたパッド領域と、上記パッドと上記バッファをそれぞれ接続する信号線と、上記パッドの余剰分と接続する電源線および接地線とを備えた半導体装置において、上記電源線および接地線の少なくとも一方は上記信号線と絶縁層を介して部分的に重なり合うことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 471

FI (3件)：

H01L 27/04 E ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 21/82 P