アクティブマトリックス基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木森有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358249
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174837
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】アクティブ素子の電極と反射電極とのコンタクト特性を劣化させることになく、安価に高性能の反射型液晶表示装置を提供する。【解決手段】アクティブマトリックス基板の製造方法において、アクティブ素子4の電極としてAlを含む薄膜からなる上層膜7とAlの拡散を防止するためのAl以外の金属膜からなる下層膜6を成膜する工程と、アクティブ素子の上層膜7の反射電極と接続する部分8をpKa値が2.0以上の酸からなる薬液により除去する工程と、アクティブマトリックス基板の表面を覆うように感光性絶縁膜9を成膜する工程と、感光性絶縁膜にアクティブ素子4と接続するためのコンタクト穴10を形成する工程と、コンタクト穴10を介して感光性絶縁膜9上に少なくともAlを含む金属膜11によって反射電極12を形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

アクティブ素子およびアドレス配線をマトリックス状に配した基板表面に感光性絶縁膜を形成し、この感光性絶縁膜にアクティブ素子と接続をするためのコンタクト穴を形成し、このコンタクト穴を被覆しかつアクティブ素子と接続するように反射電極を形成するアクティブマトリックス基板の製造方法であって、アクティブ素子の電極としてAlを含む薄膜からなる上層膜とAlの拡散を防止するためのAl以外の金属膜からなる下層膜を成膜する工程と、アクティブ素子の上層膜の反射電極と接続する部分をpKa値が2.0以上の酸からなる薬液により除去する工程と、アクティブマトリックス基板の表面を覆うように感光性絶縁膜を成膜する工程と、感光性絶縁膜にアクティブ素子と接続するためのコンタクト穴を形成する工程と、コンタクト穴を介して感光性絶縁膜上に少なくともAlを含む金属膜によって反射電極を形成する工程とを備えることを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1335 520 , G09F 9/00 346 , G09F 9/30 338 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1335 520 , G09F 9/00 346 A , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 612 D

Fターム (64件)：

2H091FA14Y , 2H091FB08 , 2H091FC02 , 2H091FD04 , 2H091GA02 , 2H091GA07 , 2H091GA13 , 2H091LA30 , 2H092JA26 , 2H092JB07 , 2H092KA18 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 5C094AA05 , 5C094AA14 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA06 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HL03 , 5F110HL26 , 5F110HM02 , 5F110HM18 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ03 , 5F110QQ05 , 5G435AA00 , 5G435BB12 , 5G435BB16 , 5G435CC09 , 5G435EE33 , 5G435FF03 , 5G435GG12 , 5G435HH02 , 5G435HH12 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

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