特許

J-GLOBAL ID：200903081832638701

SF6ガスを用いた低誘電率薄膜の製造方法

発明者： ビョウンゴン ユ ,  ウォンイック ジャン ,  セウンヨル カン ,  クワンホ キム ,  ジョンテ バエク
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所
代理人 (1件)： 富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251706
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181073
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 フッ素系の原料ガスを用いて低誘電率を有するSiOF低誘電率薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 RPCVD装置の反応炉に半導体基板10を実装し、フッ素の原料ガスとしてSF6+N2O混合ガスかつSF6+O2混合ガスを注入し、酸化シリコン(SiO)の原料ガスとしてSiH4ガスまたはTEOS(OC2H5)4)を注入し、半導体基板10上にSiOF低誘電率薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

SF6ガスを用いた低誘電率薄膜製造方法において、RPCVD装置の反応炉に半導体基板を実装し、フッ素の原料ガスとしてSF6ガスを注入すると共に、酸化シリコン(SiO)の原料ガスとしてSiH4ガス、かつTEOS(OC2H5)4)を注入し、SiOF薄膜を製造することを特徴とする低誘電率薄膜の製造方法。