特許

J-GLOBAL ID：200903081832802102

強誘電体メモリ及びその製造方法

発明者： 中山 雅夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098318
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359360
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 精密な加工が可能な強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 強誘電体材料膜14を、レジスト16をマスクとして、エッチングによりパターニングする。強誘電体材料膜14のエッチングに伴って生じた二次生成物からなる堆積物18であって、レジスト16の側面に付着した堆積物18を除去する。エッチングによってレジスト16の厚みを減少させ、堆積物18の一部をレジスト16の上面に倒し、レジスト16の上面で堆積物18の一部をエッチングする。

請求項（抜粋）：

(a)強誘電体材料膜を、レジストをマスクとして、エッチングによりパターニングし、(b)前記強誘電体材料膜のエッチングに伴って生じた二次生成物からなる堆積物であって、前記レジストの側面に付着した堆積物を除去することを含み、前記(b)工程は、エッチングによって前記レジストの厚みを減少させ、前記堆積物の一部を前記レジストの上面に倒し、前記レジストの上面で前記堆積物の前記一部をエッチングすることを含む強誘電体メモリの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/302 106 ,  H01L 27/10 444 Z

Fターム (32件)：

5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB13 ,  5F004EA13 ,  5F004EB08 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083HA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52