特許
J-GLOBAL ID:200903081837929780

セラミック基板上に金属配線の接着層を生成させる方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-311544
公開番号(公開出願番号):特開平6-104567
出願日: 1992年11月20日
公開日(公表日): 1994年04月15日
要約:
【要約】【目的】 重合体バインダー及びセラミック本体内部の銅金属配線パターンを含むセラミック材料を得る工程を含むセラミック基板の上に金属配線の接着層を生成させる方法の提供。【構成】 金属配線の表面層をセラミック本体の表面の上に生成させる。一つの実施態様においてはこの表面層はニッケルであり、そしてもう一つ実施態様においてはこの表面層は銅または金である。次に、このセラミック本体は、熱分解、バインダー燃焼除去及び、最後に、高密度化、及びある場合には結晶化の工程を含む焼結サイクルを受ける。そしてこの高密度化及び結晶化の間、以下の要件に合致する予め定められたスチーム雰囲気が存在することを特徴とする:平衡反応式4Cu+O2=2Cu2Oを満足させるために必要なものよりも小さな酸素分圧;及び前記表面金属配線中のニッケルに関する平衡反応式2Ni+O2=2NiOを満足させるために必要なものよりも小さいかまたは等しい酸素分圧。
請求項(抜粋):
少なくとも5重量%のMgOを含むセラミック材料、重合体バインダー及びセラミック本体内部の銅金属配線パターンから成る未焼成セラミック本体を得る工程、該セラミック本体の上にニッケル含有金属配線の層を生成させる工程、該セラミック本体を、(a) 該重合体バインダーを熱分解するための熱分解過程、(b) 第一温度でそしてスチーム雰囲気中で行われるバインダー燃焼除去過程(ここで該雰囲気は該銅金属配線を酸化することなく該バインダーを燃焼除去するために十分である)及び(c) 該第一温度よりも高い第二温度でそしてスチーム雰囲気中で行われる高密度化、及びある場合には結晶化過程(ここで該スチーム雰囲気は、平衡反応式4Cu+O2=2Cu2Oを満足させるために必要なものよりも小さな酸素分圧であり;平衡反応式2Ni+O2=2NiOを満足させるために必要なものよりも小さな酸素分圧であるという要件に合致するように選ばれる)から成る焼結サイクルによって焼結する工程から成る、セラミック基板上に金属配線の接着層を生成させる方法。
IPC (2件):
H05K 3/38 ,  H05K 3/12

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