特許
J-GLOBAL ID：200903081842872966

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
加藤 信之

加藤 信之 について

, 
竹内 有一

竹内 有一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270559
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 SiC層の平坦化の際の平坦化位置の検出を行えるようにし、SiC層の厚さ制御が行えるようにする。【解決手段】 SiC基板1に対して不純物層形成用のトレンチ2を形成すると共に、トレンチ2よりも十分に浅いマーカー3を形成する。このとき、トレンチ2の深さとマーカー3の深さ差分が、不純物層として必要とされる厚みと一致するようにする。続いて、トレンチ2及びマーカー3を埋め込むようにSiC層4をエピ成長させたのち、SiC層4を表層部から順に除去していき、SiC基板1の表面が露出するまで平坦化を進める。このとき、SiC基板1もSiC層4も共に透明もしくは半透明であることから、平坦化の開始時点から常にマーカー3の輪郭が見えた状態になる。そして、平坦化が進み、マーカー3が消失すると、その消失を確認できるため、確認された時点で平坦化を止める。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板(1)を用意する工程と、前記炭化珪素半導体基板に対してトレンチ(2)を形成する工程と、前記炭化珪素半導体基板のうち、前記トレンチが形成されていない領域にマーカー(3、5)を形成する工程と、前記トレンチを埋め込むように、不純物がドーピングされた炭化珪素層(4)を成膜する工程と、前記炭化珪素層を平坦化する工程とを含み、前記マーカーが無くなったことを確認した時に、前記平坦化工程を止めるようにすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/306 M
Fターム (6件)：
5F043AA05 ,  5F043DD16 ,  5F043DD17 ,  5F043DD24 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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