特許

J-GLOBAL ID：200903081844097706

金属窒化物膜の形成方法および電子装置の製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289278
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124154
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗かつ拡散バリア性の高い金属窒化物膜の形成方法、およびこれを用いた高集積度半導体装置等の電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】 プラズマ生成室10にはH2 /Arの混合ガスを、プラズマ処理室20にはWF6 /N2 の混合ガスを導入し、被処理基体22上に金属窒化物膜を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成室と、該プラズマ生成室に連接されたプラズマ処理室とを有するプラズマ処理装置を用い、金属ハロゲン化物ガス、窒化剤ガス、還元性ガスおよび希ガスを必須構成要素とする原料ガスにより、被処理基体上に金属窒化物膜を形成する金属窒化物膜の形成方法であって、前記原料ガスのうち、前記還元性ガスおよび希ガスを前記プラズマ生成室に導入するとともに、前記原料ガスのうち、前記金属ハロゲン化物ガスおよび窒化剤ガスを前記プラズマ処理室に導入することを特徴とする金属窒化物膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/36 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/36 ,  C23C 16/50 E ,  H01L 21/90 C

Fターム (46件)：

4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA12 ,  4K030BA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA03 ,  4K030JA20 ,  4K030KA30 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH04 ,  4M104HH16 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033WW00 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28