特許

J-GLOBAL ID：200903081848748914

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 中田 行彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196701
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 オン電流を向上でき、安価で大量生産に適したTFTを得る。【構成】 TFTの半導体膜15が、微結晶相を有するシリコン(μc-Si)膜から形成されている。このμc-Si膜は、アモルファスシリコン(a-Si)膜の形成とa-Si膜への水素プラズマ処理とを繰り返すという工程、あるいは、まず、水素希釈率200以上という条件下で成膜を行い、続いて水素希釈率を2〜100に変更して成膜を行うという工程により形成される。このように形成されたμc-Si膜半導体膜は、a-Si半導体膜に比べて電界効果移動度が大きいので、TFTのオン電流が向上する。また、成膜にはRF-PCVD装置が用いられるので、低温で成膜を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を覆って該基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された半導体膜と、該半導体膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであって、該半導体膜が、i型であって該絶縁膜から500オングストローム以内の部分に、導電率が5×10-9S/cm以上の微結晶相を含むシリコン膜を有する薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-065120
  
• 特開平4-266019
  
• 特開平3-205817