特許
J-GLOBAL ID：200903081848817975
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287669
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101145
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置の閾値を下げ、出力効率を上昇させること。【解決手段】 p型半導体基板2の上面にp型クラッド層3、活性層4およびn型クラッド層5aを成膜した後エッチングし、メサストライプ22を形成する。メサストライプ22の両側に、p型分離層6a、p型分離層6b、n型ブロック層7およびp型ブロック層8を形成し、メサストライプ22を埋め込む。p型分離層6aおよびp型クラッド層6bは、p型クラッド層3と活性層4との境界で開口部12を形成し、n型ブロック層7は、この開口部12で活性層4と接する。
請求項（抜粋）：
p型半導体基板上に、少なくともp型の第1クラッド層と活性層とn型の第2クラッド層とを順次積層したメサストライプを形成し、該メサストライプの両側に電流ブロック層を形成した半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層は、少なくとも前記第2クラッド層の側面を覆うp型の分離層と、前記活性層の側面の一部に少なくとも接するn型ブロック層と、前記n型ブロック層の上面を覆うp型の上面ブロック層と、を備え、前記分離層は、前記第2クラッド層と前記n型ブロック層とを分離して非接触状態にすることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (6件)：
5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA23
