特許
J-GLOBAL ID:200903081852340130

薄膜の形成方法およびそれに用いるマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中嶋 慎一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-351817
公開番号(公開出願番号):特開2007-197828
出願日: 2006年12月27日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】独立した非成膜領域を含むパターンの薄膜を成膜する。【解決手段】開口パターンが形成された平板状のマスク2を介して、ノズル11から噴射された超微粒子を基板3上に堆積させ、前記開口パターンに対応する形状の薄膜を基板3上に成膜する。マスク2は、前記開口パターンの外郭を画定する外郭画定部2aと、その外郭画定部2aの内側に開口2bを介して配され前記開口パターンの内郭を画定する遮蔽部2bと、外郭画定部2aと遮蔽部2cとの間に延在しこれらを連結する桁部2dとを有する。この桁部2dは、マスク2の底面から離れた位置に形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上に薄膜を形成する方法であって、 平板状のマスクであって、第1の領域、第1の領域を取り囲んで配置されて、第1の領域との間に第1の領域を取り囲む開口を画定する第2の領域、及び、所定の方向に延在して第1の領域と第2の領域とを連結し、前記マスクの一方の面から所定の空隙をもって配置された桁を有するマスクを前記基板上に配置する第1工程と、 前記基板及び前記マスクの上方に超微粒子を噴射する粒子噴射装置を配置する工程と、 前記粒子噴射装置が前記マスクの上面側から前記超微粒子を噴射することにより、前記基板上に前記所定のパターンに対応する形状の薄膜を形成する第2工程とを備える薄膜の形成方法。
IPC (2件):
C23C 14/00 ,  C23C 14/04
FI (2件):
C23C14/00 Z ,  C23C14/04 A
Fターム (5件):
4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BA50 ,  4K029CA00 ,  4K029HA01
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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